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大師手筆：推挽逆變器中變壓器漏感尖峰有源鉗位處理
功率推挽電路的尖峰問題，好比電子領域的“牛皮癬”，屬于很難治的疑難雜癥。大師級牛人從原理出發分析了在推挽逆變器中兩開關管漏極產生尖峰的原因，創意性的提出有源鉗位的改進方法，并在實際應用中得到驗證是可行的，相比于傳統推挽逆變器，極大地提升了性能、效率和穩定性。
2013-08-15
逆變器 變壓器漏感尖峰 推挽電路
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【拆解】變頻器IGBT模塊拆解學習
都知道IGBT是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。筆者此次從變頻器中拆得一個IGBT模塊，估計看過的人不多，特拿來與大家分享學習。
2013-08-15
變頻器 IGBT 拆解
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術匯總
IGBT以及MOSFET器件柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關斷時需要一定的動態驅動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅動功率往往是不可忽視的。本文盤點了常用的幾種隔離驅動技術，供大家參考。
2013-08-15
IGBT 驅動 驅動器 隔離驅動
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四大步驟教你輕松選對MOSFET
作為電氣系統的基本部件，MOSFET的選擇是否正確經常對整個設計是否成功起著關鍵作用。針對特定設計，如何才能選擇正確的MOSFET？了解MOSFET的類型和重要性能特點似乎必不可少……跟著本文四大步驟走，MOSFET的選擇不再是難題！
2013-08-14
MOSFET MOSFET類型 MOSFET選擇 MOSFET性能
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福創西部論壇：供應和技術盛宴助力西部產業升級
2013年8月14日,西安－8月西安將迎來歐洲最富盛名的福創技術論壇(Fortronic)。為助力西部產業升級和加快中國創新設計的進程。福創西部論壇(Fortronic) 將于8月28日－8月30日西安高新區－西安志誠麗柏酒店舉辦三天的論壇包括中國電子分銷商領袖峰會，無線技術和智能手機設計工作坊，電力電子與電源管...
2013-08-13
福創西部論壇
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第二屆EPLAN 杯電氣工程設計大賽火熱進行中
自今年5月份第二屆EPLAN杯電氣工程設計大賽開賽以來，活動得到了廣大工程師們積極的響應與參與。尤其是在今年持續高溫的情況下，工程師們對于參加第 二屆EPLAN杯電氣設計大賽的熱情只增不減。截止8月份統計，本屆設計大賽報名人數突破了一千人，提交作品超過40篇。
2013-08-13
電氣工程
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隔離驅動IGBT功率器件設計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
IGBT 功率器件 IGBT保護
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IGBT電路保護新方法：將穩壓管換為新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的設計模式——所需余量大系統大，但無法抵抗干擾和失效問題。如何突破傳統的保護方式，進行IGBT系統電路保護設計？本文對傳統IGBT失效防護進行改進，使用新方法進行IGBT失效防護和柵極過電壓、過電流防護。
2013-08-13
IGBT電路保護 IGBT IGBT電路防護
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2013首屆工業信息安全用戶高峰論壇在京成功舉辦
聚焦工控信息安全管理 促進工業行業健康持續發展2013首屆工業信息安全用戶高峰論壇今日在北京成功舉辦，會議以“加強信息安全管理 促進工業行業發展”為主題。在信息化和工業化深度融合趨勢下，加強工業控制系統信息安全顯得尤為重要。為推廣工業信息安全相關的知識、產品和技術，教育并完善工業控制系統信息安全市場，同時，為輔助政府部門制定工業...
2013-08-12
工業信息
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