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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點,提升新一代微控制器的成本競爭力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠...
2024-03-26
意法半導(dǎo)體 納米技術(shù) 微控制器
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高效精準表征低噪聲放大器
很多應(yīng)用場景都會用到低噪聲放大器(LNA),包括無線通信、傳感器網(wǎng)絡(luò)、導(dǎo)航衛(wèi)星和射電望遠鏡等。LNA在放大低功率信號的同時,也會影響系統(tǒng)信噪比 (SNR)。除了增益和線性度等常見放大器考慮因素之外,LNA 還必須具有低噪聲系數(shù)性能,以保持信號質(zhì)量和系統(tǒng)靈敏度。
2024-03-22
低噪聲放大器
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貿(mào)澤電子持續(xù)擴充來自業(yè)界知名制造商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 繼續(xù)擴充其來自世界級制造商和解決方案供應(yīng)商的工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容,以幫助客戶加快設(shè)計速度。在全球制造業(yè)和自動化流程數(shù)字化加速(也稱為工業(yè)4.0)的推動下,市場對新型工業(yè)產(chǎn)品的需求不斷增長。
2024-03-22
貿(mào)澤電子 工業(yè)自動化
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使用具有集成安全功能的網(wǎng)絡(luò)安全 PLC 實現(xiàn)高速工業(yè)自動化
從汽車生產(chǎn)到食品加工,無論什么樣的工廠,都需要既靈活又高速,而且兼具集成式安全和高網(wǎng)絡(luò)安全水平的機器控制。在這些環(huán)境中,網(wǎng)絡(luò)通信和安全實現(xiàn)必須具有靈活性。網(wǎng)絡(luò)上的一些設(shè)備將使用 EtherCAT 等現(xiàn)場總線協(xié)議,而其他設(shè)備則可能使用 Ethernet/IP。此外,還有些設(shè)備采用標準連接,有些則需要...
2024-03-21
PLC 工業(yè)自動化
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集成電路產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,CITE2024集成電路專區(qū)展現(xiàn)中國市場旺盛活力
近年來,受到全球經(jīng)濟持續(xù)疲軟、通貨膨脹高企、消費需求減弱、地緣政治危機等多重因素影響,全球半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)波動中下行的趨勢。2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額下滑超過12%,創(chuàng)下自2001年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂后的最大降幅。2020年,新冠疫情沖擊下全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速,帶動半導(dǎo)體需求驟增,全球半導(dǎo)體行業(yè)...
2024-03-18
集成電路專區(qū)展 集成電路
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意法半導(dǎo)體被評為2024年全球百強創(chuàng)新企業(yè)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)榮登2024年全球百強創(chuàng)新機構(gòu)榜單(Top 100 Global Innovators? 2024)。該榜單是全球排名前列的信息服務(wù)公司科睿唯安(Clarivate?)發(fā)布的年度世界組織機構(gòu)創(chuàng)新能力排行榜,上榜機構(gòu)須在...
2024-03-15
意法半導(dǎo)體
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了解電子元件和電路中的磁滯現(xiàn)象
比較器電路可能是電子設(shè)計中最具象征意義的故意磁滯。顧名思義,比較器是一種比較兩個輸入信號并通過其輸出電壓指示兩個輸入中哪個電壓較高的裝置。
2024-03-15
電子元件 磁滯
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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法,包括直流母線電容的寄生電感,直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
功率回路 電感
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機/逆變器。隨著電機/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變,SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢,而開始取代MOSFET和IGBT。然而,隔離器件需要具有高CMTI能力,另外還需要更高精度的電流測量。下一代隔離調(diào)制器大大提...
2024-03-11
隔離式Σ-Δ調(diào)制器 電流測量
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