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高性能電解電容器是LED長壽命的保障
LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經損壞。究其原因，鋁電解電容器是導致LED驅動電路壽命達不到要求的關鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開關損耗
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孰優孰劣:氮化鎵場效應晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優勢。但是，如果只是考慮開關品質因數，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應晶體管 硅功率器件
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僅有120ns最大傳播延遲的門驅動光電耦合器
近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅動光電耦合器產品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設計上為用來保護和驅動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅動光電耦合器，適合如變頻器、電機控制和開關電源(SPS)等高頻率應用。相較于Avago前一代產品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
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電源轉換新時代的來臨：IR開始商業裝運GaN器件
IR在業內率先商業付運可大幅提高現有電源轉換系統效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的電源應用的性能指數(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉換
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？
2013-05-15
MOSFET 電源轉換 GaN
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽能 逆變器 高能效
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過結合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關電源行業在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經歷革新性發展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 電源
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EMC領軍企業揮師西部 大舉搶占軍工、航天、通信市場 ——直面中國制造業向西部的戰略轉移，先入為主，占領中國西部市場！
“ 中國(西部)EMC應用技術展”是電磁兼容技術面向航天、軍工、通信領域的國際盛會。 成都，中國西部大開發的龍頭城市，中國重要的基礎電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
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