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測試測量

基于熱敏電阻的溫度檢測系統—第1部分：設計挑戰和電路配置

本系列文章分為兩部分，這是第1部分。本部分首先討論基于熱敏電阻的溫度測量系統的歷史和設計挑戰，以及它與基于電阻溫度檢測器(RTD)的溫度測量系統的比較。此外，本文還會簡要介紹熱敏電阻選擇、配置權衡，以及Σ-Δ型模數轉換器(ADC)在該應用領域中的重要作用。第2部分將詳細介紹如何優化和評估基于...

2022-10-24

熱敏電阻溫度檢測

IBIS建模--第3部分：如何通過基準測量實現質量等級為3級的IBIS模型

輸入/輸出緩沖器信息規范(IBIS)是一種行為模型，作為生成器件模型的標準格式而在全球受到歡迎。器件模型的精度取決于行業提供的IBIS模型的質量。因此，為信號完整性仿真提供高質量、可靠的IBIS模型是對客戶的堅定承諾。

2022-10-18

IBIS 基準測量 ADI

從存在檢測到生命感應：英飛凌解決物聯網系統挑戰

物聯網 (IoT) 正在興起。智能設備正在釋放技術優勢，幫助人們創造附加值，提高行業生產率。然而，物聯網也帶來了許多挑戰，例如新技術的復雜性，以及獲取和處理數據以做出明智決策的需求。

2022-10-17

生命感應英飛凌物聯網系統

芯片測試大講堂——MIPI D-PHY

大家好，由是德科技與上海集成電路技術與產業促進中心（上海ICC）聯合執筆的芯片測試系列與大家見面了，本期內容將聚焦于MIPI D-PHY測試，其中的內容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經驗，摘要如下：

2022-10-12

芯片測試 MIPI D-PHY

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以Si...

2022-10-11

測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓

ADI電磁流量計模擬前端電路方案實測

電磁流量計是20世紀50~60年代隨著電子技術的發展而興起的新型流量測量儀表，由于其無阻流件等特點，在測量領域得到廣泛應用。持續的技術進步要求不斷提高解決方案的集成度，技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Nathan Xiao借助ADI的放大器、模數轉換器，進行了可實現高分辨率、低噪聲的工業電磁...

2022-10-10

ADI 電磁流量計模擬前端