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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負載效應 DRAM
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數字IC的高級封裝盤點與梳理
數字 IC 的封裝選項（以及相關的流行詞和首字母縮略詞）繼續成倍增加。微處理器、現場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數字IC 高級封裝
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發布了重大技術架構的改變和創新
在 2021 年英特爾架構日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統和圖形事業部總經理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構師，全面介紹了兩種全新 x86 內核架構的詳情；英特爾首個性能混合架構，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調度器；專為數據中心設計的下一代英特爾? 至強? 可擴展處理...
2021-08-22
英特爾 CPU GPU IPU
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開關電源的LLC 拓撲
近來，LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞，但是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機，動態負載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統的可靠性。
2021-08-22
開關電源 LLC 拓撲
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經常會碰到器件失效或系統故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業的術語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關損耗
器件緩沖似乎是處理開關過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調諧的優良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
SiC FET 電磁干擾 開關損耗
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解惑：耦合在電路中的作用？為什么需要耦合？
耦合是指把能量從一個電路傳送另外一個電路中去，耦合在模擬電路和數字電路中非常常見，微弱的信號可以耦合到放大電路進行放大，經過放大的信號同樣可以通過耦合進行輸出。
2021-08-20
耦合電路 模擬電路 數字電路
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關于2021廈門國際照明展覽會新展期定檔的通告
在國家政府的正確領導下，各地各級部門面對疫情沉著冷靜，應對有道。用科學溫暖有效的疫情防控措施，讓恣意妄行的疫情偃旗息鼓，再度得到控制，被封控地區、街道紛紛解封并重新降為低風險。
2021-08-17
廈門國際照明展
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固定增益雙端口G類差分放大器設計
ISL1561是固定增益雙端口G類差分放大器設計，與AB類放大器相比，可在降低功耗的情況下驅動ADSL2 +和VDSL2。線路驅動器采用+ 12V至+ 14V單電源供電，并且在檢測到升壓時會產生較高的電源電壓。靜態電流可以通過3引腳串行端口接口（SPI）用12位命令進行編程。
2021-08-17
固定增益雙端口 G類差分放大器
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