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電源效率的新突破：LLC 輸出的同步整流
隨著“整個負載范圍內都保持超高的效率”這一要求成為產品規格的一部分，設計工程師在評審 AC/DC 電源拓撲時都將減少能耗作為具體的目標。 圖 1顯示了一個能提供一流效率的拓撲示例。 本文由 Future Electronics(EMEA) 公司的技術項目經理John Stephens 編著，應廣大 IC制造商的要求介紹了如何處理此...
2012-06-20
電源 LLC 輸出 同步整流
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飛兆半導體開發FPS?綠色模式功率開關器件
開關電源(Switch mode power supply, SMPS)設計人員需要節省空間的高成本效益電源解決方案，具有高能量效率，優化的系統性能和更高的可靠性。為了幫助應對這些設計復雜性挑戰，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FSL206MRx集成式脈寬調制器(PWM)控制器。
2012-06-19
飛兆 FSL206MRx SMPS
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TDK-EPC新款1608積層功率電感器適用于便攜設備電源回路
TDK-EPC開發了積層功率電感器MLP1608-V系列，該產品采用低損耗鐵氧體為磁性材料，外形為1608，與2012系列相比，體積減少約50%，主要應用于智能電話、手機、數碼相機等移動設備的電源回路。
2012-06-19
功率電感 MLP1608-V 電源回路 TDK-EPC
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技術觀點：解密準共振 DC/DC 轉換器設計
與返馳式 DC/DC 轉換器拓撲相比，準共振設計不僅能提供高能效，而且生成的電磁干擾 (EMI) 也較低，使得它特別適合噪音敏感的應用，例如電視機或音頻設備。然而，實施工作變得更加龐大，令工程師感到恐懼，這往往使工程師推遲探索上述這些好處。在這篇文章中，Future Electronics（波蘭）的技術經理 ...
2012-06-19
準共振 DC/DC 轉換器
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羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 羅姆 逆變器
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NXP微型LDO調節器可節省PCB空間和電池能量
NXP Semiconductor LD6806 系列低壓差 (LDO) 調節器采用小巧的封裝（0.76 毫米 x 0.76 毫米 x 0.47 毫米），專門面對具有極端空間約束且需要高電池壽命的應用場合。
2012-06-18
NXP LDO調節器
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預計2012年中國MCU市場增長乏力
據IHS iSuppli公司的中國研究服務，全球宏觀經濟擔憂與中國政府支出減少，正在給2012年中國微控制器(MCU)市場造成一些麻煩，預計今年營業收入將持平于2011年的水平。
2012-06-15
MCU MCU市場 微控制器
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IR新型25V DirectFET芯片組，大幅提升DC-DC開關效率
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出 IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片組，為 12V輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
2012-06-14
IR DC-DC 開關
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博世：推進電動動力傳動系統模塊化，以規模降成本
德國博世公司2012年6月11日在日本東京面向新聞媒體舉行了技術演講會，公布了電動動力傳動系統相關戰略。汽油系統事業部董事、負責電動化系統的斯蒂芬?卡普曼（Stephan Kampmann）言道：“將通過馬達、逆變器及充電電池等的模塊化降低成本，以此增加向汽車廠商的供貨。”
2012-06-14
博世 動力傳動系統 汽車電子 電動汽車
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