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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-07-01
SiC FET 起源 UnitedSiC
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢(shì)
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。
2022-06-28
英飛凌 SOI 驅(qū)動(dòng)芯片
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ATE引腳電子器件的電平設(shè)置DAC校準(zhǔn)
本文提供一種校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的方法，專用于引腳電子器件驅(qū)動(dòng)器、比較器、負(fù)載、PMU和DPS。DAC具有差分非線性(DNL)和積分非線性(INL)等非線性特性，我們可以通過增益和偏置調(diào)整來盡可能降低這些特性。本文描述如何執(zhí)行這些校準(zhǔn)，以改善電平設(shè)置性能。
2022-06-28
ATE 引腳電子器件 DAC
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適用于任何化學(xué)物的簡(jiǎn)單電池充電器IC
許多由電池供電的設(shè)備通常需要各種各樣的充電電源、電池化學(xué)組成、電壓和電流。例如，隨著適合所有類型電池化學(xué)組成的新型大電池組出現(xiàn)，功能豐富的高端消費(fèi)型、醫(yī)療、工業(yè)和汽車電池充電器電路都需要更高電壓和電流。此外，支持寬功率范圍的太陽(yáng)能電池板也用于為各種采用可充電密封鉛酸(SLA)電池和...
2022-06-28
化學(xué)物 電池充電器 IC
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在IC電源管理這個(gè)新領(lǐng)域，有哪些物聯(lián)網(wǎng)最佳應(yīng)用？
本文探討物聯(lián)網(wǎng)(IoT)電池技術(shù)。將描述設(shè)計(jì)人員面臨的一些電源問題，以及ADI公司提供的解決方案。這些解決方案非常高效，可以幫助克服物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。
2022-06-28
IC 電源管理 物聯(lián)網(wǎng)
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玩轉(zhuǎn)PoE智能照明，我們幫你從“芯”開始
歷經(jīng)多年的發(fā)展，智能照明已經(jīng)深入人心：一方面它能夠大大提升電能的利用效率，實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排、綠色照明；另一方面，它也從根本上改變了人們對(duì)電燈這個(gè)“古老”的電器的使用方式，提供了全新的用戶體驗(yàn)——對(duì)于這樣的技術(shù)，人們當(dāng)然是不得不愛。
2022-06-27
PoE 智能照明 貿(mào)澤
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案
隨著市場(chǎng)對(duì)筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對(duì)28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(zhǎng)期以來的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。
2022-06-27
英飛凌 USB-PD 方案
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