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可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散
您曾設(shè)計(jì)過具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數(shù)邊界雜散
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如何利用TI Designs來驗(yàn)證和加快設(shè)計(jì)過程
如果處理器和現(xiàn)場可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運(yùn)行，并且不需要排序和控制等特殊功能的話，會不會變的很簡單呢？不幸的是，大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓，啟動/關(guān)斷序列和不同類型的控制。
2022-02-08
TI Designs 處理器 現(xiàn)場可編程門陣列FPGA
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型。現(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
仿真轉(zhuǎn)換器 數(shù)字輸入／輸出
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關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~
本文對模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構(gòu)
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淺談5G小基站中時(shí)鐘及無源射頻器件的應(yīng)用
5G的高速率、低延時(shí)、海量連接已被大家熟知，5G將萬物互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)AR交互、自動駕駛、智慧城市等應(yīng)用場景是人們期盼已久的愿望。
2022-02-08
5G小基站 無源射頻器件 應(yīng)用
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上...
2022-02-08
基本半導(dǎo)體 碳化硅肖特基二極管
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針對SiC串?dāng)_抑制方法的測試報(bào)告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串?dāng)_抑制
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