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元器件在低頻和高頻特性有什么不同？
我們先來說說電容，都說大電容低頻特性好,小電容高頻特性好,那么根據容抗的大小與電容C及頻率F成反比來說的話,是不是大電容不僅低頻特性好,高頻特性更好呢,因為頻率越高,容量越大,容抗就越低,高頻就是否越容易通過大電容呢,但從大電容充放電的速度慢來說的話,高頻好象又不容易通過的,這不很矛盾嗎？
2018-07-16
元器件 電感 電容
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詳細介紹一下無線輻射雜散的有效的調試方式
針對三次諧波分析雜散輻射來源是否通過傳導傳播，通過測試驗證此頻率下傳導雜訊的裕量在9dB以上。接下來的思路轉移到了輻射的雜訊上。
2018-07-13
輻射 頻譜儀 無線智能終端
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【防偏磁】半橋隔直電容計算方法！
工程師都知道實際的開關電源半橋拓撲都有一個隔直電容，其實在原理拓撲中是沒有這個電容的。這個電容的存在一定是有它的道理的，該如何理解，又該如何計算它的容量？
2018-07-13
防偏磁 半橋隔直電容 計算方法
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【兩公式搞定】實際帶你計算一個電流互感器！
電流互感器與一般的電壓變壓器的區別在什么地方呢?這個問題即使是資深的磁性元件設計人員也很難回答。基本的區別在于：變壓器試圖把電壓從原邊變換到副邊，而電流互感器試圖把電流從原邊變換到副邊。電流互感器的電壓大小由負載決定。
2018-07-13
電流互感器 開關電源 損耗
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詳解MOSFET與IGBT的本質區別
本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。
2018-07-13
MOSFET IGBT 開關電源
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深度解析低噪聲增益可選放大器
數據采集、傳感器信號調理以及輸入信號變化范圍較大的其他應用，會要求采用增益可選放大器。傳統的增益可選放大器在反饋環路中，是用開關將電阻連接至反相輸入，不過開關電阻會降低放大器的噪聲性能，增加了反相輸入上的電容，且提高了非線性增益誤差。在使用低噪聲放大器時，噪聲和電容的增加，非...
2018-07-13
低噪聲 可選放大器
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關于隔離式RS-232數據接口在惡劣環境下工業應用的設計
工業和儀器儀表(I&I)應用的一個關鍵條件是具有可靠的數據接口，用在通過診斷端口檢查相連系統。RS-232 總線標準是I&I應用中使用最早也最廣泛的物理層總線設計標準之一。RS-232最初于 1962 年推出，是一種單端數據傳輸標準；盡管有謠傳稱其很快消亡，但其實它現在仍然是短線通信行業廣泛采用的一種通...
2018-07-12
隔離式接口 RS-232接口 工業應用
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