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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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恒電勢(shì)器模塊支持實(shí)現(xiàn)電化學(xué)生物傳感器護(hù)理點(diǎn)診斷
新冠病毒的出現(xiàn)，引發(fā)了人們對(duì)電化學(xué)生物傳感器的興趣和隨之而來的創(chuàng)新浪潮。借助更好的生物檢測(cè)傳感器和讀取器，醫(yī)療保健提供者能夠更快做出正確的診斷和治療，不止是針對(duì)新冠，還包括從瘧疾和結(jié)核病到細(xì)菌性感染等許多其他疾病。并不是說，電化學(xué)生物傳感器創(chuàng)新者們忽略了這一需求，但這期間出現(xiàn)...
2023-02-06
恒電勢(shì)器 傳感器 ADI
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瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，F(xiàn)eRAM發(fā)力智能物聯(lián)時(shí)代增量市場(chǎng)
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動(dòng)下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時(shí)代，存儲(chǔ)器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，自2019年以來，存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場(chǎng)空間從2019年的1110億美元將增長(zhǎng)至2025年的1850億美元。細(xì)分市場(chǎng)中，以FeRAM（鐵電存儲(chǔ)）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢(shì)
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兩步走 解決開關(guān)電源輸入過壓的煩惱！
輸入過壓是由電網(wǎng)負(fù)載的巨大波動(dòng)引起的。例如，在用電高峰期，電壓通常較低，而在設(shè)備關(guān)閉時(shí)，電壓則較高。
2023-02-03
開關(guān)電源 輸入過壓 電源管理 電路設(shè)計(jì)
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艾為電子：鼎鼎大名的運(yùn)算放大器，你知多少？
提到運(yùn)算放大器（下文簡(jiǎn)稱：運(yùn)放），很多人肯定覺得既熟悉又陌生。大家可能都在書本上或者工作中聽到過它的大名，但真正用過運(yùn)放的人就相對(duì)較少。其實(shí)運(yùn)放是一種十分常見的電路單元，傳感器一類的信號(hào)調(diào)理應(yīng)用是它的主場(chǎng)，此外運(yùn)放還常被用作比較器、比例放大器、積分器等，在各類電子產(chǎn)品中發(fā)揮著...
2023-02-03
艾為電子 運(yùn)算放大器
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5G通信將為V2X應(yīng)用提供嶄新功能
5G通信具備高帶寬、低延時(shí)的特性，正是當(dāng)前V2X（車聯(lián)網(wǎng)）應(yīng)用最佳的通訊技術(shù)，5G將為車內(nèi)和車外應(yīng)用提供全新功能，短期內(nèi)它將顛覆車內(nèi)信息娛樂并增強(qiáng)車內(nèi)多媒體功能。在不久的將來，將可以期待5G在V2X通信、優(yōu)化駕駛體驗(yàn)，以及未來自動(dòng)駕駛汽車方面做出的貢獻(xiàn)。本文將為您介紹5G技術(shù)在V2X上的應(yīng)用發(fā)...
2023-02-03
5G通信 V2X應(yīng)用
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