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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機(jī)理 雪崩擊穿
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為什么要計(jì)算電容器壽命？
電解電容器和聚合物混合電容器具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，然而它們的使用壽命有限，用戶需要借助算法來確定其壽命。
2022-09-22
計(jì)算 電容器 壽命
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在實(shí)時控制系統(tǒng)中使用傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)可靠性的3個技巧
實(shí)時控制是閉環(huán)系統(tǒng)在定義的時間窗口內(nèi)收集數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)并更新系統(tǒng)的能力。作為文章“實(shí)時控制簡介及其重要性”的續(xù)篇，本文將詳細(xì)介紹實(shí)時控制系統(tǒng)的第一個功能塊“檢測（收集）數(shù)據(jù)”，并針對如何通過關(guān)注特定傳感器參數(shù)來優(yōu)化實(shí)時控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個技巧。
2022-09-22
實(shí)時控制 傳感器 優(yōu)化數(shù)據(jù)
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表面貼裝的散熱面積估算和注意事項(xiàng)
到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。
2022-09-21
表面貼裝 散熱面積 估算
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![[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險(xiǎn)絲](http://image.cntronics.com/static/images/29_副本_cRvdn5u.png "[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險(xiǎn)絲")
[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險(xiǎn)絲
三端保險(xiǎn)絲是芯片式表貼安裝產(chǎn)品，通常用于鋰離子電池組作為二次保護(hù)，使其在遭受過流與過壓風(fēng)險(xiǎn)時能夠及時動作，有效減少鋰離子電池因?yàn)檫^充、過放以及短路等故障導(dǎo)致的起火爆炸等情況，讓電路與器件損壞控制在盡量小的區(qū)域。
2022-09-21
三端保險(xiǎn)絲 Littelfuse
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點(diǎn)推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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