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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術實現更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設計并在不同應用中表現良好的產品。IGBT應能助力打造出擁有優化系統成本的可擴展逆變器產品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術以及對應的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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這個技術，改善你的電源系統設計！
隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。
2022-09-20
電源系統 設計 ADI
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延時校準、脈沖測試一定要做的事兒！
進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關特性，可以說它伴隨著功率器件從研發制造到應用的整個生命周期。基于雙脈沖測試獲得的器件開關波形可以做很多事情，包括：通過對開關過程的分析驗證器件設計方案并提出改進方向、提取開關特征參數制作器件規格書、計算開關損耗和反向恢復損耗為電源...
2022-09-20
延時校準 脈沖測試 泰克
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電動汽車充電的三大設計注意事項
用于商業和住宅用途的典型電動汽車 (EV) 充電站設計包括電能計量、剩余電流檢測（交流和直流）、隔離安全合規性、繼電器和接觸器，還具有驅動功能、雙向通信以及服務和用戶界面。雖然充電站的目標是高效地將電力傳輸到車輛，但實現電力傳輸是其最初的功能。
2022-09-20
電動汽車 充電 設計
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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打破電動汽車“里程焦慮”，主驅能效如何升級？
因續航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉換過程的效率是延長車輛續航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關重要的一個關鍵領域是主驅逆變器，它將直流電池電壓轉換為所需的交流驅動，以為電機供電。
2022-09-19
電動汽車 主驅能效
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如何加強對Type-C數據線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規范極大地簡化了實現互連和為數碼相機和超薄平板電腦等電子產品供電的方式（圖1）。該規范支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在系統保護方面帶來了新的挑戰。新連接器的間距比USB Micr...
2022-09-19
Type-C 數據線 充電保護
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